RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
2659
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link