RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
33
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3587
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link