RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
59
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
1,559.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,505.3
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,559.1
9.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
407
2388
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link