RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
59
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,559.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,505.3
11.0
Скорость записи, Гб/сек
1,559.1
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
407
2388
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link