Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB против Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    50 left arrow 59
    Около -18% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    5 left arrow 3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,905.1 left arrow 1,559.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    6400 left arrow 5300
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    59 left arrow 50
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,505.3 left arrow 5,143.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,559.1 left arrow 1,905.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    407 left arrow 855
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения