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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
比较
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
50
59
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
1,905.1
1,559.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
59
50
读取速度,GB/s
3,505.3
5,143.3
写入速度,GB/s
1,559.1
1,905.1
内存带宽,mbps
5300
6400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
407
855
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
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