Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Punteggio complessivo
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    50 left arrow 59
    Intorno -18% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    5 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    1,905.1 left arrow 1,559.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 5300
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    59 left arrow 50
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,505.3 left arrow 5,143.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,559.1 left arrow 1,905.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    407 left arrow 855
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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