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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Confronto
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
59
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
1,559.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
29
Velocità di lettura, GB/s
3,505.3
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,559.1
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
407
3611
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-015.A00G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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