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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Comparez
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Note globale
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
59
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,559.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,505.3
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,559.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
407
3611
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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