RAM-Vergleich Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 18.8

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

29 59

Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.3 1,559.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 5300

Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

407 3611

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns