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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Comparar
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Pontuação geral
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
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Razões a considerar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
59
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
1,905.1
1,559.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
59
50
Velocidade de leitura, GB/s
3,505.3
5,143.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,559.1
1,905.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
6400
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
407
855
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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