RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
3005
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link