RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
59
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
1954
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link