RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
59
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1954
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link