RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
59
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
59
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
1954
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link