RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
69
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.4
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
3594
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link