RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2251
3100
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link