RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2165
3446
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link