RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
53
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3199
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link