RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
50
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
2982
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link