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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
50
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
2982
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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