RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2982
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link