RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
50
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2982
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link