RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
53
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3199
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link