RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
39
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2165
3206
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link