RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
3206
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-870.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link