RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
41
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2142
3819
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link