RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3593
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link