RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3857
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link