RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
18.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3857
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link