RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
25
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.6
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
17.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
4100
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link