RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
39
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1749
2889
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link