RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
39
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2889
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link