RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
25
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
15.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3515
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link