RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
25
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.6
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3515
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link