RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3285
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link