RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
27
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2288
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link