RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2288
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link