RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
33
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2987
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM-Vergleiche
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link