RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2987
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Mushkin 996902 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link