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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
56
Autour de -115% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3938
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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