Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Note globale
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Note globale
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Autour de -4% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    18.2 left arrow 16.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    17.3 left arrow 11.8
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 26
  • Vitesse de lecture, GB/s
    16.7 left arrow 18.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    11.8 left arrow 17.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2756 left arrow 3938
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons