RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
18.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3938
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link