RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Confronto
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
56
Intorno -115% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.3
1,813.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
26
Velocità di lettura, GB/s
4,387.7
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,813.5
17.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3938
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link