G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Punteggio complessivo
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 33
    Intorno 18% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.6 left arrow 17.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    16.6 left arrow 12.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 17000
    Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 33
  • Velocità di lettura, GB/s
    18.6 left arrow 17.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    16.6 left arrow 12.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3938 left arrow 2910
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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