RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сравнить
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB против Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
18.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
16.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3938
2910
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link