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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Confronto
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,063.1
1,813.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
65
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
65
56
Velocità di lettura, GB/s
3,580.1
4,387.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,063.1
1,813.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
585
693
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
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