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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
比较
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,063.1
1,813.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
65
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
65
56
读取速度,GB/s
3,580.1
4,387.7
写入速度,GB/s
2,063.1
1,813.5
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
585
693
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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