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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,063.1
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
65
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
65
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.1
4,387.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,063.1
1,813.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
585
693
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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