TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Gesamtnote
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB

Gesamtnote
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Unterschiede

TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,063.1 left arrow 1,813.5
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    56 left arrow 65
    Rund um -16% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 3
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    65 left arrow 56
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,580.1 left arrow 4,387.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,063.1 left arrow 1,813.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    585 left arrow 693
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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