RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
41
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
3337
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link