RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
41
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
14.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
3112
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA4-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link